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C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
ARCHIVE INFORMATION
MRF6S9045NR1 MRF6S9045NBR1
3
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Table 5. Electrical Characteristics (TC
= 25
°C unless otherwise noted)
(continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Typical GSM EDGE Performances
(In Freescale GSM EDGE Test Fixture Optimized for 921-960 MHz, 50 ohm system)
VDD
= 28 Vdc, IDQ
= 350 mA, Pout
= 16 W Avg., f = 921-960 MHz, GSM EDGE Signal
Power Gain
Gps
?
20
?
dB
Drain Efficiency
ηD
?
46
?
%
Error Vector Magnitude
EVM
?
1.5
?
%
Spectral Regrowth at 400 kHz Offset
SR1
?
-62
?
dBc
Spectral Regrowth at 600 kHz Offset
SR2
?
-78
?
dBc
Typical CW Performances
(In Freescale GSM Test Fixture Optimized for 921-960 MHz, 50 ohm system) V
DD
= 28 Vdc,
IDQ
= 350 mA, Pout
= 45 W, f = 921-960 MHz
Power Gain
Gps
?
20
?
dB
Drain Efficiency
ηD
?
68
?
%
Input Return Loss
IRL
?
-12
?
dB
Pout
@ 1 dB Compression Point
(f = 940 MHz)
P1dB
?
52
?
W
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